El amplificador de potencia de carga sintonizada

Jorge Julián Moreno Rubio; Andrés Fernando Jimenez López; Nelson Barrera Lombana

doi:10.24054/rcta.v2i22.1919

Authors

Jorge Julián Moreno Rubio Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Andrés Fernando Jimenez López Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Nelson Barrera Lombana Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

DOI:

https://doi.org/10.24054/rcta.v2i22.1919

Keywords:

Amplificador de potencia, alta eficiencia, dispositivos GaN, Carga Sintonizada, Circuitos de microondas

Abstract

Este artículo muestra el diseño y los resultados de simulación de un amplificador de potencia de carga sintonizada. El amplificador fue diseñado a 2.4 GHz, obteniendo una eficiencia en saturación arriba del 70 %, junto con una ganancia a pequeña señal de 15 dB. La deducción de ecuaciones de diseño y análisis es presentada considerando condiciones de polarización clase AB y asumiendo el uso de dispositivos FET. Un dispositivo CGH40010F fabricado por Cree Corporation ha sido usado con un modelo no lineal válido hasta 6 GHz y una potencia de salida esperada de 10 W. La simulación se ha llevado a cabo usando la herramienta CAD ADS.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Gagliardi R. M. (1978). Introduction to Communication Engineering, John Wiley & Sons.

Sokal N. O. and Sokal A. D. (1975). Class E – A new class of high-efficiency tuned single-ended switching power amplifier. Solid-State Circuits, IEEE Journal of. Vol. 10, issue 3. DOI 10.1109/JSSC.1975.1050582.

Raab. F. H., (1997). Class-F power amplifiers with maximally flat waveforms. Microwave Theory and Techniques. IEEE Transactions on. Vol. 45, issue 11. DOI 10.1109/22.644215.

Cripps S. C., (1999). RF Power Amplifiers for Wireless Communications. Artech House.

El-Hamamsy S.-A., (1994). Design of high-efficiency RF Class-D power amplifier. Power Electronics, IEEE Transactions on. Vol. 9, issue 3. DOI 10.1109/63.311263.

Binari S. C. et al., (1997). Fabrication and characterization of GaN FETs. Solid-State Electronics. Vol. 41, issue 10.

Pozar D. M., (1998). Microwave Engineering. John Wiley & Sons.

Colantonio P. et al., (2009). High Efficiency RF and Microwave solid-state power amplifiers. John Wiley & Sons.

Moreno J. J. et al. (2012). Development of Single-stage and Doherty GaN-based hybrid RF power amplifiers for quasi-constant envelope and high peak to average power ratio wireless standards. Microwave and optical technology letters. Vol. 54 No. 1. DOI 10.1002/mop.

Shealy J. et al., (2002). Gallium nitride (GaN) HEMT’s: progress and potential for commercial applications. GaAs IC Symposium, 24th Annual Technical Digest.

Lu. J. et al., (2008). A new small-signal modeling and extraction method in AlGaN/GaN HEMTs. Solid-State Electronics. Vol 52.

CGH40010 Datasheet, Cree Corporation, Rev. 3.1, 2006-2011.

Park H.-C. (2006). High efficiency Class F amplifier design in presence of internal parasitics components of transistor. European Microwave conference.