Amplificadores de potencia de RF/Microondas altamente eficientes: Ejemplos de diseño

Norma  Restrepo Burgos; Lady Fernanda  Pérez Mancera; Esther Vanessa  Andrade Mesa; Carlos Alberto  Ballesteros Tovar; Edison F.  Angarita Malaver; Jorge Julián  Moreno Rubio

doi:10.24054/rcta.v2i28.294

Autores/as

Norma Restrepo Burgos Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Lady Fernanda Pérez Mancera Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Esther Vanessa Andrade Mesa Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Carlos Alberto Ballesteros Tovar Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Edison F. Angarita Malaver Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Jorge Julián Moreno Rubio Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

DOI:

https://doi.org/10.24054/rcta.v2i28.294

Palabras clave:

Clase F, alta eficiencia, circuitos de microondas, carga sintonizada, amplificador de potencia

Resumen

Este artículo muestra el diseño y la caracterización de dos amplificadores de potencia de alta eficiencia basados en tecnología GaN HEMT con una frecuencia de trabajo de 2.4 GHz. El primero es un amplificador de carga sintonizada con una eficiencia en saturación máxima de 52 % y ganancia a pequeña señal de 14.2 dB, el otro es un Clase F con un pico de eficiencia incrementado hasta el 60 % y ganancia a pequeña señal de 16.4 dB. Durante el proceso de diseño, se han tenido en cuenta las componentes parásitas debidas al empaquetado. Un dispositivo CGH40010 fabricado por Cree Inc. ha sido usado con un modelo no lineal válido hasta 6 GHz y una potencia de salida esperada de 10 W.

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Citas

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