MODELO DE SIMULACIÓN CON PÉRDIDAS Y ESTRATEGIA DE CONTROL PID PARA EL CONVERTIDOR BUCK
DOI:
https://doi.org/10.24054/rcta.v2i22.1918Keywords:
Amplificador de potencia, alta eficiencia, dispositivos GaN, Carga Sintonizada, Circuitos de microondas.Abstract
Este artículo presenta un modelo en forma canónica de un convertidor Buck considerando las pérdidas originadas por los elementos de conmutación (diodo y MOSFET) y la resistencia del devanado del inductor. Adicionalmente, se muestra la comparación en simulación del circuito convencional con semiconductores y de un circuito equivalente propuesto, en el que se remplazan los elementos de conmutación por fuentes dependientes. Los resultados se basan en la simulación de los modelos de estudio controlados mediante un PID que tiene como objetivo la regulación del voltaje de salida del convertidor ante cambios en la carga y en la fuente de alimentación. Para el diseño del controlador se utilizan los parámetros de la tarjeta de desarrollo de Microchip dsPICDEM.
Downloads
References
Gagliardi R. M. (1978). Introduction to
Communication Engineering, John Wiley &
Sons.
Moreno J. J. et al. (2012). Development of Singlestage
and Doherty GaN-based hybrid RF
power amplifiers for quasi-constant envelope
and high peak to average power ratio
wireless standards. Microwave and optical
technology letters. Vol. 54 No. 1. DOI
1002/mop.
Colantonio P. et al., (2009). High Efficiency RF
and Microwave solid state power amplifiers.
John Wiley & Sons.
Sokal N. O. and Sokal A. D. (1975). Class E – A
new class of high-efficiency tuned single
ended switching power amplifier. Solid-State
Circuits, IEEE Journal of. Vol. 10, issue 3.
DOI 10.1109/JSSC.1975.1050582.
El-Hamamsy S.-A., (1994). Design of high
efficiency RF Class-D power amplifier. Power
Electronics, IEEE Transactions on. Vol. 9,
issue 3. DOI 10.1109/63.311263.
Raab. F. H., (1997). Class-F power amplifiers with
maximally flat waveforms. Microwave Theory
and Techniques. IEEE Transactions on. Vol.
, issue 11. DOI 10.1109/22.644215.
Cripps S. C., (1999). RF Power Amplifiers for
Wireless Communications. Artech House.
Shealy J. et al., (2002). Gallium nitride (GaN)
HEMT’s: progress and potential for
commercial applications. GaAs IC
Symposium, 24th Annual Technical Digest.
Binari S. C. et al., (1997). Fabrication and
characterization of GaN FETs. Solid-State
Electronics. Vol. 41, issue 10.
CGH40010 Datasheet, Cree Corporation, Rev. 3.1,
-2011.
Lu. J. et al., (2008). A new small-signal modeling
and extraction method in AlGaN/GaN
HEMTs. Solid-State Electronics. Vol 52.
Park H.-C. (2006). High efficiency Class F
amplifier design in presence of internal
parasitics components of transistor. European
Microwave conference.
Pozar D. M., (1998). Microwave Engineering. John
Wiley & Sons.
Downloads
Published
Versions
How to Cite
Issue
Section
License
Copyright (c) 2013 REVISTA COLOMBIANA DE TECNOLOGIAS DE AVANZADA (RCTA)
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.