Esta es un versión antigua publicada el 2013-07-02. Consulte la versión más reciente.

EL AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE CARGA SINTONIZADA

Autores/as

Jorge Julián Moreno Rubio
Andrés Fernando Jimenez López
Nelson Barrera Lombana

DOI:

https://doi.org/10.24054/rcta.v2i22.1919

Palabras clave:

Amplificador de potencia, alta eficiencia, dispositivos GaN, Carga Sintonizada, Circuitos de microondas

Resumen

Este artículo muestra el diseño y los resultados de simulación de un amplificador de potencia de carga sintonizada. El amplificador fue diseñado a 2.4 GHz, obteniendo una eficiencia en saturación arriba del 70 %, junto con una ganancia a pequeña señal de 15 dB. La deducción de ecuaciones de diseño y análisis es presentada considerando condiciones de polarización clase AB y asumiendo el uso de dispositivos FET. Un dispositivo CGH40010F fabricado por Cree Corporation ha sido usado con un modelo no lineal válido hasta 6 GHz y una potencia de salida esperada de 10 W. La simulación se ha llevado a cabo usando la herramienta CAD ADS.

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Citas

Gagliardi R. M. (1978). Introduction to Communication Engineering, John Wiley & Sons.

Moreno J. J. et al. (2012). Development of Singlestage and Doherty GaN-based hybrid RF power amplifiers for quasi-constant envelope and high peak to average power ratio wireless standards. Microwave and optical technology letters. Vol. 54 No. 1. DOI 10.1002/mop.

Colantonio P. et al., (2009). High Efficiency RF

and Microwave solid state power amplifiers.

John Wiley & Sons.

Sokal N. O. and Sokal A. D. (1975). Class E – A

new class of high-efficiency tuned single

ended switching power amplifier. Solid-State

Circuits, IEEE Journal of. Vol. 10, issue 3.

DOI 10.1109/JSSC.1975.1050582.

El-Hamamsy S.-A., (1994). Design of high

efficiency RF Class-D power amplifier. Power

Electronics, IEEE Transactions on. Vol. 9,

issue 3. DOI 10.1109/63.311263.

Raab. F. H., (1997). Class-F power amplifiers with

maximally flat waveforms. Microwave Theory

and Techniques. IEEE Transactions on. Vol.

, issue 11. DOI 10.1109/22.644215.

Cripps S. C., (1999). RF Power Amplifiers for

Wireless Communications. Artech House.

Shealy J. et al., (2002). Gallium nitride (GaN)

HEMT’s: progress and potential for

commercial applications. GaAs IC

Symposium, 24th Annual Technical Digest.

Binari S. C. et al., (1997). Fabrication and

characterization of GaN FETs. Solid-State

Electronics. Vol. 41, issue 10.

CGH40010 Datasheet, Cree Corporation, Rev. 3.1,

-2011.

Lu. J. et al., (2008). A new small-signal modeling

and extraction method in AlGaN/GaN

HEMTs. Solid-State Electronics. Vol 52.

Park H.-C. (2006). High efficiency Class F

amplifier design in presence of internal

parasitics components of transistor. European

Microwave conference.

Pozar D. M., (1998). Microwave Engineering. John

Wiley & Sons.

Descargas

Publicado

2022-11-08 — Actualizado el 2013-07-02

Versiones

Cómo citar

Moreno Rubio, J. J., Jimenez López, A. F., & Barrera Lombana, N. (2013). EL AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE CARGA SINTONIZADA. REVISTA COLOMBIANA DE TECNOLOGIAS DE AVANZADA (RCTA), 2(22). https://doi.org/10.24054/rcta.v2i22.1919 (Original work published 8 de noviembre de 2022)